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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BFG10W/X,115 +BOM

NPN wideband transistor

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

BFG10W/X,115
Datenblatt:

BFG10W/X,115 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

10V
Frequency - Transition:

1.9GHz
Power - Max:

400mW
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BFG10W/X,115

BFG10W/X,115 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 10V 250mA 1.9GHz 400mW Surface Mount 4-SO

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	10V
Frequency - Transition	1.9GHz	Noise Figure (dB Typ @ f)	-
Gain	-	Power - Max	400mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 50mA, 5V	Current - Collector (Ic) (Max)	250mA
Operating Temperature	175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BFG10	feature-packaging	Tape and Reel
feature-rad-hard		feature-pin-count	4
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-escc-qualified		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc	No
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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