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Siehe Technische Spezifikationen

BFG97,115 +BOM

RF Bipolar Transistors NPN 15V 5.5GHZ

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

BFG97,115
Datenblatt:

BFG97,115 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

15V
Frequency - Transition:

5.5GHz
Power - Max:

1W
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BFG97,115

BFG97,115 Allgemeine Beschreibung

RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 5.5GHZ, 3SOT223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:5.5GHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:80hFE; MSL:-RoHS Compliant: Yes

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V
Frequency - Transition	5.5GHz	Noise Figure (dB Typ @ f)	-
Gain	-	Power - Max	1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 70mA, 10V	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Operating Temperature	175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BFG97	Pin Count	4
Released Date	Aug 5, 2020	Last Modified Date	Mar 7, 2023 4:10 PM UTC

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