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Siehe Technische Spezifikationen

BF511,215 +BOM

RF JFET Transistors JFET N-CH 20V 10MA

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

BF511,215
Datenblatt:

BF511,215 Datenblatt (PDF)
V<sub>DS</sub> [max] (V):

20
|y<sub>fs</sub>| [min]:

4
Transistor Type:

JFET
Technology:

Si
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BF511,215

BF511,215 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 10 V 5 mA 100MHz SOT-23 (TO-236AB)

Hauptmerkmale

N-channel silicon FET

Spezifikationen

V<sub>DS</sub> [max] (V)	20	\|y<sub>fs</sub>\| [min]	4
Product Category	RF JFET Transistors	Transistor Type	JFET
Technology	Si	Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	30 mA	Pd - Power Dissipation	250 mW
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single
Product	RF JFET Transistors	Product Type	RF JFET Transistors
Rds On - Drain-Source Resistance	-	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Type	JFET
Part # Aliases	933505280215	Unit Weight	0.000282 oz

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