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Siehe Technische Spezifikationen

BFM520,115 +BOM

RF Bipolar Transistors NPN DL 70MA 8V 9GHZ

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

BFM520,115
Datenblatt:

BFM520,115 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

2 NPN (Dual)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

8V
Frequency - Transition:

9GHz
Noise Figure (dB Typ @ F):

1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BFM520,115

BFM520,115 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor 2 NPN (Dual) 8V 70mA 9GHz 1W Surface Mount 6-TSSOP

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors	Series	-
Transistor Type	2 NPN (Dual)	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	8V
Frequency - Transition	9GHz	Noise Figure (dB Typ @ f)	1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Gain	-	Power - Max	1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 20mA, 6V	Current - Collector (Ic) (Max)	70mA
Operating Temperature	175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BFM52	feature-packaging	Tape and Reel
feature-rad-hard		feature-pin-count	6
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-escc-qualified		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc	Yes
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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