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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BF909R +BOM

N-channel dual-gate MOSFET

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

BF909R
Datenblatt:

BF909R Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
Additional Feature:

LOW NOISE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BF909R

Hauptmerkmale

Specially designed for use at 5 V supply voltage
High forward transfer admittance
Short channel transistor with high forward transfer admittance to input capacitance ratio
Low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz
Superior cross-modulation performance during AGC.

Spezifikationen

Source Content uid	BF909R	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Additional Feature	LOW NOISE
Case Connection	SOURCE	Configuration	COMPLEX
DS Breakdown Voltage-Min	7 V	Drain Current-Max (ID)	0.04 A
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	0.05 pF
Highest Frequency Band	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 Code	R-PDSO-G4
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	2
Number of Terminals	4	Operating Mode	DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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