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BFU520R +BOM

RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor

  • Hersteller:

    NXP

  • Herstellerteil #:

    BFU520R

  • Datenblatt:

    BFU520R Datenblatt (PDF) pdf-icon

  • Series:

    BFU520

  • Transistor Type:

    Bipolar Wideband

  • Technology:

    Si

  • Transistor Polarity:

    NPN

BFU520R Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 12V 30mA 10.5GHz 450mW Surface Mount SOT-143B

NXP Inventar
NXP Originalbestand
NXP Inventar

Spezifikationen

Product Category RF Bipolar Transistors Series BFU520
Transistor Type Bipolar Wideband Technology Si
Transistor Polarity NPN Operating Frequency 10.5 GHz
DC Collector/Base Gain hfe Min 60 Collector- Emitter Voltage VCEO Max 12 V
Emitter- Base Voltage VEBO 2 V Continuous Collector Current 30 mA
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Configuration Single Mounting Style SMD/SMT
Collector- Base Voltage VCBO 24 V DC Current Gain hFE Max 200
Gain Bandwidth Product fT 10.5 GHz Maximum DC Collector Current 50 mA
Operating Temperature Range - 40 C to + 150 C Output Power 6.5 dBm
Pd - Power Dissipation 450 mW Product Type RF Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory Transistors
Type Wideband RF Transistor Part # Aliases 934067702215
Unit Weight 0.000314 oz

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