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Siehe Technische Spezifikationen

BS250P +BOM

MOSFET P-Chnl 45V

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

BS250P
Datenblatt:

BS250P Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel

BS250P Allgemeine Beschreibung

When searching for a reliable and efficient transistor for your electronic projects, look no further than the BS250P. This metal-oxide semiconductor FET offers a single element design that simplifies circuit layouts and reduces the risk of interference. The TO-92 package ensures compatibility with a wide range of components, while the E-line package-3 adds durability for long-lasting performance. Whether you're a hobbyist or a professional, the BS250P is a versatile solution for your semiconductor needs

Hauptmerkmale

45 Volt VDS
RDS(on)=14Ω

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	45 V
Id - Continuous Drain Current	230 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	14 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.5 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	700 mW	Channel Mode	Enhancement
Series	BS250	Configuration	Single
Height	4.01 mm	Length	4.77 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	4000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Type	FET
Width	2.41 mm	Unit Weight	0.016000 oz

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