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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BSC009NE2LS5I +BOM

Small signal transistor with low noise and high gain characteristic

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BSC009NE2LS5I
Datenblatt:

BSC009NE2LS5I Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

50 mJ
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC009NE2LS5I

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen BSC009NE2LS5I-Treiber von Infineon Technologies Corporation an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung BSC009NE2LS5I.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	50 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	25 V	Drain Current-Max (ID)	40 A
Drain-source On Resistance-Max	0.00135 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PDSO-F8	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	8	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	400 A
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
IDpuls max	868.0 A	Mounting	SMD
Ptot max	74.0 W	Polarity	N
RthJA max	50.0 K/W	RthJC max	1.7 K/W
VDS max	25.0 V	RDS (on) max	1.35 mΩ
Special Features	Monolithically Integrated Schottky-like Diode	ID max	217.0 A
Operating Temperature max	150.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C

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