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BSC010NE2LSI +BOM

N-channel MOSFET for 25V

BSC010NE2LSI Allgemeine Beschreibung

N-Channel 25 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

Spezifikationen

Source Content uid BSC010NE2LSI Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Pin Count 8
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas) 100 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 25 V
Drain Current-Max (ID) 38 A Drain-source On Resistance-Max 0.0014 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PDSO-F5
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 96 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish TIN
Terminal Form FLAT Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

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