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BSC026N02KSGAUMA1 +BOM

N-Channel Power MOSFET with 20V Voltage Rating and 25A Current Rating

BSC026N02KSGAUMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 20 V 25A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Infineon Inventar
Infineon Originalbestand

Spezifikationen

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 100 A Rds On - Drain-Source Resistance 2.1 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 12 V, + 12 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 700 mV
Qg - Gate Charge 52.7 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 78 W
Channel Mode Enhancement Tradename OptiMOS
Series OptiMOS 2 Configuration Single
Fall Time 9 ns Forward Transconductance - Min 95 S
Height 1.27 mm Length 5.9 mm
Moisture Sensitive Yes Product Type MOSFET
Rise Time 115 ns Factory Pack Quantity 5000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 52 ns Typical Turn-On Delay Time 21 ns
Width 5.15 mm Part # Aliases BSC026N02KS G SP000379664
Unit Weight 0.070548 oz

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