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Siehe Technische Spezifikationen

BSC026N08NS5 +BOM

High-power switching solution for demanding applicatio

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BSC026N08NS5
Datenblatt:

BSC026N08NS5 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

370 mJ
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC026N08NS5

BSC026N08NS5 Allgemeine Beschreibung

Featuring a single-element construction, this Silicon-based FET is ideal for use in various electronic circuits where fast switching speeds and low power dissipation are crucial. The Metal-Oxide Semiconductor technology ensures reliable performance and excellent thermal stability

Spezifikationen

Source Content uid	BSC026N08NS5	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	370 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	80 V
Drain Current-Max (ID)	23 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0026 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-F5
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	5
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	400 A	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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