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BSC035N10NS5ATMA1 +BOM

MOSFET 100VPower transistor OptiMOS 5

BSC035N10NS5ATMA1 Allgemeine Beschreibung

The BSC035N10NS5ATMA1 power MOSFET transistor is a high-performance component designed to meet the demands of power management circuits. With a VDS of 100V and a continuous ID of 35A, this transistor is capable of handling high-current applications with ease. Its low on-state resistance of 0.019 ohms at a 10V gate-source voltage ensures minimal power losses and efficient operation

Hauptmerkmale

  • Safe operating temperature range
  • Rapid thermal recovery
  • Fault-tolerant system architecture
  • Precision overcurrent protection
  • High reliability in harsh environments
  • Low electromagnetic interference

Anwendung

  • Automotive tools
  • Industrial power
  • Switching control

Spezifikationen

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 53 Weeks, 1 Day Avalanche Energy Rating (Eas) 300 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 100 V Drain Current-Max (ID) 100 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0035 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-F8 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 8 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400 A
Surface Mount YES Terminal Finish TIN
Terminal Form FLAT Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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