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Siehe Technische Spezifikationen

BSC057N08NS3G +BOM

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 0.0057ohm

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

BSC057N08NS3G
Datenblatt:

BSC057N08NS3G Datenblatt (PDF)
IDpuls Max:

400.0 A
Ptot Max:

114.0 W
VDS Max:

80.0 V
Polarity:

N
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC057N08NS3G

BSC057N08NS3G Allgemeine Beschreibung

MOSFET OPTIMOS 3 POWER-TRANISTOR, 80 V Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Hauptmerkmale

Advanced EMI shielding
Low thermal resistance
Reliable operation ensured
Safe operating conditions guaranteed

Anwendung

Process automation
Hydropower systems
Soft starter control

Spezifikationen

IDpuls max	400.0 A	Ptot max	114.0 W
VDS max	80.0 V	Polarity	N
RDS (on) max	5.7 mΩ	ID max	100.0 A
VGS(th) max	3.5 V	VGS(th) min	2.0 V
Operating Temperature max	150.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C

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