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Siehe Technische Spezifikationen

BSC067N06LS3G +BOM

BSC067N06LS3 G is an N-channel MOSFET boasting OptiMOS 3 technology

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BSC067N06LS3G
Datenblatt:

BSC067N06LS3G Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

8
Reach Compliance Code:

not_compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC067N06LS3G

BSC067N06LS3G Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 15A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Spezifikationen

Source Content uid	BSC067N06LS3G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	8
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	47 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	60 V
Drain Current-Max (ID)	15 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0067 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-F8
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	69 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	200 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Series	OptiMOS™
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15A (Ta), 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 35µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	67 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5100 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 69W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	BSC067

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