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Siehe Technische Spezifikationen

BSC090N03LSGATMA1 +BOM

N-Channel 30 V 13A (Ta), 48A (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

BSC090N03LSGATMA1
Datenblatt:

BSC090N03LSGATMA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC090N03LSGATMA1

BSC090N03LSGATMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 13A (Ta), 48A (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	48 A	Rds On - Drain-Source Resistance	7.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	18 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	32 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	OptiMOS
Series	OptiMOS 3	Configuration	Single
Fall Time	2.4 ns	Forward Transconductance - Min	28 S
Height	1.27 mm	Length	5.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	2.6 ns
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	14 ns
Typical Turn-On Delay Time	3.1 ns	Width	5.15 mm
Part # Aliases	BSC090N03LS G SP000275115	Unit Weight	0.004358 oz

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