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Siehe Technische Spezifikationen

BSC0921NDIATMA1 +BOM

Designed for high-frequency switching circuits requiring low drain-source resistance and fast switching times

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BSC0921NDIATMA1
Datenblatt:

BSC0921NDIATMA1 Datenblatt (PDF)
Series:

OptiMOS™
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature:

Logic Level Gate, 4.5V Drive
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC0921NDIATMA1

BSC0921NDIATMA1 Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 30V 17A, 31A 1W Surface Mount PG-TISON-8

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Ultra low gate and output charge
Lowest on-state resistance in small footprint packages
Easy to design in
Increased battery lifetime
Improved EMI behavior making external snubber networks obsolete
Saving costs
Saving space
Reducing power losses

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsFET, MOSFET Arrays	Series	OptiMOS™
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature	Logic Level Gate, 4.5V Drive	Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17A, 31A	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1025pF @ 15V	Power - Max	1W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BSC0921	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes
Product Category	MOSFET	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	40 A
Rds On - Drain-Source Resistance	3.9 mOhms, 1.2 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V	Qg - Gate Charge	8.9 nC, 33 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	2.5 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	OptiMOS	Fall Time	2.4 ns, 3.6 ns
Forward Transconductance - Min	38 S, 70 S	Height	1.27 mm
Length	5.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	3.4 ns, 5 ns	Factory Pack Quantity	5000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	12 ns, 25 ns	Typical Turn-On Delay Time	1.8 ns, 5 ns
Width	5.15 mm	Part # Aliases	BSC0921NDI SP000934748
Unit Weight	0.003586 oz

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