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Siehe Technische Spezifikationen

BSC094N06LS5 +BOM

Enhance system performance with these high-quality MOSFET modules

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

BSC094N06LS5
Datenblatt:

BSC094N06LS5 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

13 mJ
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC094N06LS5

BSC094N06LS5 Allgemeine Beschreibung

Infineon's BSC094N06LS5 OptiMOS™ 5 power MOSFETs are tailor-made for wireless charging, adapter, and telecom applications. These MOSFETs stand out with their low gate charge (Q g) that minimizes switching losses without compromising on conduction losses. Moreover, their enhanced figures of merit enable seamless operation at high switching frequencies, making them a preferred choice for applications demanding high performance. Additionally, the logic level drive feature ensures a low gate threshold voltage (V GS(th)), enabling direct driving at 5V from microcontrollers. With these cutting-edge features, the BSC094N06LS5 MOSFETs deliver superior efficiency and reliability for a wide range of power applications

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	13 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	60 V	Drain Current-Max (ID)	47 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0094 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	21 pF	JESD-30 Code	R-PDSO-F8
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	36 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	188 A
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
IDpuls max	188.0 A	Mounting	SMD
Ptot max	36.0 W	Polarity	N
RthJC max	3.5 K/W	RthJA max	50.0 K/W
VDS max	60.0 V	RDS (on) max	13.4 mΩ
ID max	47.0 A	VGS(th) max	2.3 V
VGS(th) min	1.1 V	Operating Temperature max	150.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

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