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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BSC098N10NS5 +BOM

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

BSC098N10NS5
Datenblatt:

BSC098N10NS5 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

30 mJ
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC098N10NS5

BSC098N10NS5 Allgemeine Beschreibung

Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET devices in 80 V and 100 V are designed for synchronous rectification in telecom and server power supply application, but also the ideal choice for other applications such as solar, low voltage drives and laptop adapter.

Spezifikationen

Source Content uid	BSC098N10NS5	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	30 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	11 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0098 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-F8
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	240 A	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

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