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Siehe Technische Spezifikationen

BSC123N08NS3G +BOM

Metal-oxide semiconductor FET with 80V voltage rating

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BSC123N08NS3G
Datenblatt:

BSC123N08NS3G Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

8
Reach Compliance Code:

not_compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC123N08NS3G

BSC123N08NS3G Allgemeine Beschreibung

N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Spezifikationen

Source Content uid	BSC123N08NS3G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	8
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	70 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	80 V
Drain Current-Max (ID)	55 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0123 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-N8
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	66 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	220 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	NO LEAD	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	40	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Series	OptiMOS™
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Ta), 55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 33µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1870 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 66W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	BSC123

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