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Siehe Technische Spezifikationen

BSC123N08NS3GATMA1 +BOM

N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

BSC123N08NS3GATMA1
Datenblatt:

BSC123N08NS3GATMA1 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

8
Reach Compliance Code:

not_compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC123N08NS3GATMA1

BSC123N08NS3GATMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Hauptmerkmale

Excellent Thermal Resistance
Minimal Power Loss Performance
Packaging Solution for Space Constrained Applications

Anwendung

Soft starters
Micro-inverters
RF heating systems

Spezifikationen

Source Content uid	BSC123N08NS3GATMA1	Pbfree Code	No
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	8
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	70 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	80 V
Drain Current-Max (ID)	55 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0123 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-N8
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	66 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	220 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	NO LEAD
Terminal Position	DUAL	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Product Category	MOSFET
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	80 V	Id - Continuous Drain Current	55 A
Rds On - Drain-Source Resistance	12.3 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V	Qg - Gate Charge	19 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	66 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	OptiMOS	Series	OptiMOS 3
Development Kit	EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7	Fall Time	4 ns
Forward Transconductance - Min	22 S	Height	1.27 mm
Length	5.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	18 ns	Factory Pack Quantity	5000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	19 ns	Typical Turn-On Delay Time	12 ns
Width	5.15 mm	Part # Aliases	BSC123N08NS3 G SP000443916
Unit Weight	0.003683 oz

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