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Siehe Technische Spezifikationen

BSM15GD120DN2E3224 +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor with 25A I(C) and 1200V V(BR)CES in N-Channel ECONOPACK-17

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

BSM15GD120DN2E3224
Datenblatt:

BSM15GD120DN2E3224 Datenblatt (PDF)
Product:

IGBT Silicon Modules
Configuration:

Full Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:

2.5 V

BSM15GD120DN2E3224 Allgemeine Beschreibung

In summary, the BSM15GD120DN2E3224 is a cutting-edge IGBT power module that combines high performance, robust design, and advanced protection features to deliver unmatched reliability and efficiency in high-power industrial applications. With its dual-channel configuration, high voltage and current ratings, and superior thermal performance, this module is the perfect choice for applications where reliable and efficient power delivery is essential. Trust in the BSM15GD120DN2E3224 to power your industrial systems with confidence and precision

Hauptmerkmale

Part Number: STP16NF06L
Manufacturer: STMicroelectronics
Module type: N-Channel Power MOSFET
Current rating: 16A
Voltage rating: 600V
Features: Low loss, high efficiency, fast switching speed

Anwendung

Safe and secure
High performance
Innovative design

Spezifikationen

Product Category	IGBT Modules	Product	IGBT Silicon Modules
Configuration	Full Bridge	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage	2.5 V	Continuous Collector Current at 25 C	25 A
Gate-Emitter Leakage Current	150 nA	Pd - Power Dissipation	145 W
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Height	17 mm	Length	107.5 mm
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V	Mounting Style	Chassis Mount
Product Type	IGBT Modules	Factory Pack Quantity	10
Subcategory	IGBTs	Technology	Si
Width	45 mm	Part # Aliases	BSM15GD120DN2E3224BOSA1 SP000100360 BSM15GD120DN2E3224BOSA1
Unit Weight	9.782704 oz

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