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Siehe Technische Spezifikationen

BSM35GB120DN2 +BOM

N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor featuring 35A I(C) and 1200V V(BR)CES in a MODULE-7 package

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

BSM35GB120DN2
Datenblatt:

BSM35GB120DN2 Datenblatt (PDF)
Product:

IGBT Silicon Modules
Configuration:

Half Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:

3.2 V

BSM35GB120DN2 Allgemeine Beschreibung

This module incorporates six IGBT chips and six diodes in a half bridge configuration, making it easy to integrate into a wide range of system designs. Moreover, its compact and lightweight design further adds to its versatility, making it easy to install and replace in the field whenever necessary

Hauptmerkmale

Precise current control with minimal ripple
High-temperature rating up to 150°C
Rugged design against mechanical stress
Suitable for motor drives, power supplies, and industrial automation

Anwendung

Easy to use
Compact size
Reliable performance

Spezifikationen

Product Category	IGBT Modules	Product	IGBT Silicon Modules
Configuration	Half Bridge	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage	3.2 V	Continuous Collector Current at 25 C	50 A
Gate-Emitter Leakage Current	150 nA	Pd - Power Dissipation	280 W
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Height	30.5 mm	Length	94 mm
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V	Mounting Style	Chassis Mount
Product Type	IGBT Modules	Factory Pack Quantity	10
Subcategory	IGBTs	Technology	Si
Width	34 mm	Part # Aliases	SP000100461 BSM35GB120DN2HOSA1

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