Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Privacy Policy.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BSS138BKS,115 +BOM

Mosfet Array 60V 320mA 445mW Surface Mount 6-TSSOP

Hersteller:

Nexperia USA Inc.
Herstellerteil #:

BSS138BKS,115
Datenblatt:

BSS138BKS,115 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

6
Reach Compliance Code:

compliant
Additional Feature:

LOGIC LEVEL COMPATIBLE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSS138BKS,115

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

BSS138BKS,115 Allgemeine Beschreibung

MOSFET, AUTO, DUAL N-CH, 60V, SOT-363; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 320mA; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.1V; Power Dissipation Pd: 280mW; Transistor Case Style: SOT-363; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Hauptmerkmale

Logic-level compatible
Very fast switching
Trench MOSFET technology
ESD protection up to 1.5 kV
AEC-Q101 qualified

Anwendung

Relay driver
High-speed line driver
Low-side load switch
Switching circuits

Spezifikationen

Source Content uid	BSS138BKS,115	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	6	Reach Compliance Code	compliant
Additional Feature	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	Application	SWITCHING
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PDSO-G6	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	2	Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Element Material	SILICON	Product Category	MOSFET
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V	Id - Continuous Drain Current	320 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	1.6 Ohms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	480 mV	Qg - Gate Charge	600 pC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	280 mW	Channel Mode	Enhancement
Series	BSS138BKS	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Part # Aliases	934065728115	Unit Weight	0.000282 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..