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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N3390 +BOM

NPN transistor with Silicon technology in TO92 package

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

2N3390
Datenblatt:

2N3390 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

25 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3390

2N3390 Allgemeine Beschreibung

Sporting a transition frequency of 100 MHz, the 2N3390 exhibits excellent high-frequency characteristics, making it suitable for applications that demand swift signal processing. Housed in a TO-92 package, this transistor is easy to mount on circuit boards, enabling seamless integration into electronic devices and equipment. Furthermore, its compatibility with standard production processes makes it a popular choice among manufacturers seeking cost-effective solutions for their products

Hauptmerkmale

Circuit analysis and simulation tools
Microcontroller programming techniques
Electromagnetic compatibility testing methods
PCB design and layout best practices

Anwendung

RF signal processing
Low-power applications
Transistor amplifiers

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	25 V	Collector- Base Voltage VCBO	25 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Maximum DC Collector Current	500 mA
Pd - Power Dissipation	625 mW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	500 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	400	DC Current Gain hFE Max	800
Height	4.7 mm	Length	4.7 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	3.93 mm	Unit Weight	0.008466 oz

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