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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BU208A +BOM

TO-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

BU208A
Datenblatt:

BU208A Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

700 V
Collector- Base Voltage VCBO:

1.5 kV
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BU208A Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 700 V 8 A 7MHz 150 W Chassis Mount TO-3

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Transistor Polarity	NPN
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	700 V
Collector- Base Voltage VCBO	1.5 kV	Emitter- Base Voltage VEBO	10 V
Maximum DC Collector Current	8 A	Pd - Power Dissipation	150 W
Gain Bandwidth Product fT	7 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors	Technology	Si

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