Bezahlverfahren
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G3 SiC technology used in the manufacturing of this MOSFET
TO-247-3Hersteller:
Wolfspeed, Inc.
Herstellerteil #:
C3M0032120D
Datenblatt:
Part Life Cycle Code:
Active
Case Connection:
DRAIN
Configuration:
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min:
1200 V
EDA/CAD Modelle:
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One of the standout features of the C3M0032120D module is its compact and lightweight design, which allows for seamless integration into existing systems. Furthermore, its low switching loss and high thermal conductivity contribute to improved overall system efficiency and reduced heat generation. The wide operating temperature range of -40°C to 175°C ensures reliable performance even in the harshest environments
Part Life Cycle Code | Active | Reach Compliance Code | |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 1200 V | Drain Current-Max (ID) | 63 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.043 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 8 pF | JEDEC-95 Code | TO-247 |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 175 °C | Operating Temperature-Min | -40 °C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 283 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 120 A |
Reference Standard | IEC-60747-8-4 | Surface Mount | NO |
Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON CARBIDE |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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[email protected]Versandart
AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | $21,805 | $21,80 |
10+ | $20,950 | $209,50 |
30+ | $19,465 | $583,95 |
90+ | $18,173 | $1.635,57 |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
Alle Stücklisten (BOM) können per E-Mail gesendet werden an
[email protected],
oder füllen Sie das untenstehende Formular aus, um ein Angebot für C3M0032120D zu erstellen, garantierte Angebote zurück innerhalb
12 Std.
2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
BC547
Onsemi
NPN Epitaxial Silicon Transistor
ULN2003
Onsemi
Versatile device for driving heavy loads and motor
IRF3205
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TO-220AB Tube Power Transistor with N-Channel Silicon
TAN15
Microchip
The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren