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C3M0065100K +BOM

High-efficiency, low-loss power conversion solution

C3M0065100K Allgemeine Beschreibung

Product C3M0065100K is a MOSFET transistor with an N-channel design. It has a continuous drain current (Id) of 35A and a drain-source voltage (Vds) of 1kV, making it suitable for high power applications. The on resistance (Rds(on)) is rated at 0.065ohm, with a test voltage (Vgs) of 15V. The threshold voltage (Vgs) is 2.1V, ensuring efficient operation and performance. This MOSFET is designed for reliability and durability in demanding environments

Hauptmerkmale

  • New C3MTM SiC MOSFET technology Optimized package with separate driver source pin 8mm of creepage distance between drain and source High blocking voltage with low on-resistance High-speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code compliant Avalanche Energy Rating (Eas) 110 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 1000 V Drain Current-Max (ID) 35 A
Drain-source On Resistance-Max 0.078 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-247 JESD-30 Code R-PSFM-T4
Number of Elements 1 Number of Terminals 4
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Min -55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 90 A Reference Standard IEC-60747-8-4
Surface Mount NO Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON CARBIDE

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