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Siehe Technische Spezifikationen

D44C12G +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 40MHz 30 W Through Hole TO-220

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

D44C12G
Datenblatt:

D44C12G Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

500mV @ 50mA, 1A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an D44C12G

D44C12G Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 40MHz 30 W Through Hole TO-220

Hauptmerkmale

Low Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.5 V (Max)
High f_t for Good Frequency Response
Low Leakage Current
Pb-Free Packages are Available*

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	4 A	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 1A	Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 200mA, 1V	Power - Max	30 W
Frequency - Transition	40MHz	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	D44C

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