Bezahlverfahren
D44VH10G +BOM
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 15 A 50MHz 83 W Through Hole TO-220
TO-220-
Hersteller:
onsemi
-
Herstellerteil #:
D44VH10G
-
Datenblatt:
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Transistor Polarity:
NPN
-
Configuration:
Single
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
80 V
-
EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 7072 Stck
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D44VH10G Allgemeine Beschreibung
- Designed for general purpose power amplification and switching, the D44VH10G transistor offers reliable performance in a compact plastic package. Whether you're in need of a robust output stage or a efficient driver stage, this transistor has the capabilities to fulfill your requirements. Its NPN and PNP configurations provide flexibility for different circuit designs, while its power-handling capabilities make it a popular choice for a variety of electronic applications
Hauptmerkmale
- Rapid Response - tr = 100 ns (Max)
- High Current Capability - IC = 10 A (Max)
- Precise Temperature Control - Tref = 25 °C ± 0.5 °C
- Safe Operating Area - SOA for Enhanced Reliability
- Fault Detection - Built-in Fault Detector (BIFD)
- Low Power Consumption - PD = 100 μW (Typical)
Anwendung
- Power Management
- Industrial
Spezifikationen
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V | Collector- Base Voltage VCBO | - |
Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 800 mV |
Maximum DC Collector Current | 15 A | Pd - Power Dissipation | 83 W |
Gain Bandwidth Product fT | 50 MHz | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | D44VH |
Continuous Collector Current | 15 A | DC Collector/Base Gain hfe Min | 35 |
Height | 15.75 mm | Length | 10.53 mm |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 50 |
Subcategory | Transistors | Technology | Si |
Width | 4.83 mm | Unit Weight | 0.211644 oz |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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