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Siehe Technische Spezifikationen

D44VH10 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 15 A 50MHz 83 W Through Hole TO-220

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

D44VH10
Datenblatt:

D44VH10 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

80 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an D44VH10

D44VH10 Allgemeine Beschreibung

The D44VH10 is a versatile plastic power transistor designed for a wide range of applications. With both NPN and PNP configurations available, this transistor can handle general purpose power amplification and switching tasks with ease. Whether you need reliable output or driver stages for switching regulators, converters, or power amplifiers, the D44VH10 is up to the task. Its robust construction and high performance make it a valuable component for various electronic projects

Hauptmerkmale

Reverse Recovery Time - t_rr = 250 ns (Typical)
High Speed Switching for High-Frequency Designs
Suitable for Applications Requiring Low Distortion

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	800 mV
Maximum DC Collector Current	15 A	Pd - Power Dissipation	83 W
Gain Bandwidth Product fT	50 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	15 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	35	Height	9.28 mm
Length	10.28 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	50	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	4.82 mm
Unit Weight	0.211644 oz

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Bewertungen und Rezensionen

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C**e 01.26.2023

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