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F4-100R12KS4 +BOM

N-channel IGBT Modules with 1.2KV Voltage Rating and 130A Current

F4-100R12KS4 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 130 A 660 W Chassis Mount Module

f4-100r12ks4 f4-100r12ks4

Hauptmerkmale

  • High power density
  • Established Econo module concept
  • Integrated temperature sensor available
  • Low stray inductance module design
  • RoHS-compliant modules
  • Compact module concept
  • Optimized customer’s development cycle time and cost
  • Configuration flexibility
  • Fast, reliable and low cost mounting concept
f4-100r12ks4 f4-100r12ks4
f4-100r12ks4

Spezifikationen

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules Series -
IGBT Type - Configuration Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V Current - Collector (Ic) (Max) 130 A
Power - Max 660 W Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.75V @ 15V, 100A
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.8 nF @ 25 V
Input Standard NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 125°C Mounting Type Chassis Mount
Base Product Number F4100R

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