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F43L50R07W2H3FB11BPSA2 +BOM

IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 650 V 50 A 20 mW Chassis Mount Module

F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 650 V 50 A 20 mW Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

  • Low Switching Losses
  • Low V
  • CEsat
  • Al
  • 2
  • O
  • 3
  • Compact Design
  • Rugged mounting due to integrated mounting clamps
  • Compact module concept
  • Optimized customer’s development cycle time and cost
  • Configuration flexibility
Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

  • Motor control and drives
  • Solutions for photovoltaic energy systems
  • Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Spezifikationen

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules Series EconoPACK™ 2
IGBT Type Trench Field Stop Configuration Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Power - Max 20 mW Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 50A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.1 nF @ 25 V
Input Standard NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Chassis Mount
Base Product Number F43L50 RHoS yes
PBFree yes HalogenFree no
Product Category IGBT Modules Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V Collector-Emitter Saturation Voltage 1.45 V
Continuous Collector Current at 25 C 50 A Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Pd - Power Dissipation - Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Press Fit Product Type IGBT Modules
Factory Pack Quantity 15 Subcategory IGBTs
Technology SiC Tradename EasyPACK
Part # Aliases F4-3L50R07W2H3F_B11 SP001602702

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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F43L50R07W2H3FB11BPSA2 Datenblatt PDF

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