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Siehe Technische Spezifikationen

F4100R17ME4B11BPSA1 +BOM

IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

F4100R17ME4B11BPSA1
Datenblatt:

F4100R17ME4B11BPSA1 Datenblatt (PDF)
Series:

EconoDUAL™ 3
IGBT Type:

Trench Field Stop
Configuration:

Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1700 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an F4100R17ME4B11BPSA1

F4100R17ME4B11BPSA1 Allgemeine Beschreibung

EconoDUAL 3 1700V module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled diode, and PressFIT Contact Technology in H-Bridge configuration | Summary of Features: H-Bridge topology; High power density; Low VCEsat; Tvjop = 150C; Trench IGBT 4; VCEsat with positive temperature coefficient; Isolated Base Plate; Standard Housing | Benefits: H-Bridge topology enabling compact inverter designs; Compact Modules; Easy and most reliable assembly; No Plugs and Cables required; Ideal for Low Inductive System Designs | Target Applications: drives

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	EconoDUAL™ 3
IGBT Type	Trench Field Stop	Configuration	Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700 V	Current - Collector (Ic) (Max)	155 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 100A	Current - Collector Cutoff (Max)	3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce	9 nF @ 25 V	Input	Standard
NTC Thermistor	No	Operating Temperature	-40°C ~ 150°C
Mounting Type	Chassis Mount	Base Product Number	F4100R
Product Category:	IGBT Modules	Packaging:	Tray
Product Type:	IGBT Modules	Series:	Trench/Fieldstop IGBT4
Factory Pack Quantity:	6	Subcategory:	IGBTs
Tradename:	EconoDUAL PressFIT	Part # Aliases:	F4-100R17ME4_B11 SP001347662
Unit Weight:	12.169517 oz

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