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Siehe Technische Spezifikationen

F4150R17ME4B11BPSA1 +BOM

IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

F4150R17ME4B11BPSA1
Datenblatt:

F4150R17ME4B11BPSA1 Datenblatt (PDF)
Series:

EconoDUAL™ 3
IGBT Type:

Trench Field Stop
Configuration:

Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1700 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an F4150R17ME4B11BPSA1

F4150R17ME4B11BPSA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1700 V 230 A Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	EconoDUAL™ 3
IGBT Type	Trench Field Stop	Configuration	Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700 V	Current - Collector (Ic) (Max)	230 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 150A	Current - Collector Cutoff (Max)	3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce	12 nF @ 25 V	Input	Standard
NTC Thermistor	No	Operating Temperature	-40°C ~ 150°C
Mounting Type	Chassis Mount	Base Product Number	F4150R17
Product Category:	IGBT Modules	Product:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	4-Pack	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.7 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.95 V	Continuous Collector Current at 25 C:	230 A
Gate-Emitter Leakage Current:	400 nA	Pd - Power Dissipation:	-
Minimum Operating Temperature:	- 40 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Packaging:	Tray	Product Type:	IGBT Modules
Series:	Trench/Fieldstop IGBT4	Factory Pack Quantity:	6
Subcategory:	IGBTs	Tradename:	EconoDUAL PressFIT
Part # Aliases:	F4-150R17ME4_B11 SP001347656	Unit Weight:	12.169517 oz

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