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Siehe Technische Spezifikationen

F4-50R12MS4 +BOM

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 70A 14-Pin ECONOD

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

F4-50R12MS4
Datenblatt:

F4-50R12MS4 Datenblatt (PDF)
Mount:

Screw
Number Of Pins:

14
Collector Emitter Breakdown Voltage:

1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage:

3.2 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an F4-50R12MS4

F4-50R12MS4 Allgemeine Beschreibung

In summary, the Mitsubishi Electric F4-50R12MS4 stands out as a top-of-the-line power module that combines cutting-edge technology with robust design. Its capabilities make it a valuable asset for industries requiring efficient and reliable power control solutions, setting a high standard for performance and safety in high-power applications

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Mount	Screw	Number of Pins	14
Collector Emitter Breakdown Voltage	1.2 kV	Collector Emitter Saturation Voltage	3.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)	1.2 kV	Continuous Collector Current	70 A
Max Collector Current	70 A	Max Junction Temperature (Tj)	125 °C
Max Operating Temperature	125 °C	Max Power Dissipation	355 W
Min Operating Temperature	-40 °C	Power Dissipation	355 W
Turn-Off Delay Time	310 ns	Turn-On Delay Time	120 ns
Height	17.5 mm

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