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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FCB36N60NTM +BOM

NChannel MOSFET 600V SupreMOST

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FCB36N60NTM
Datenblatt:

FCB36N60NTM Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

418AJ
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

245
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FCB36N60NTM

FCB36N60NTM Allgemeine Beschreibung

Product FCB36N60NTM features the innovative SupreMOS® MOSFET technology, setting it apart as the next generation of high voltage super-junction MOSFETs. Utilizing a deep trench filling process, this MOSFET showcases superior performance compared to conventional models. With its low on-resistance (Rsp), excellent switching capabilities, and rugged design, the SupreMOS MOSFET is perfectly suited for a range of high-frequency switching power converter applications

Hauptmerkmale

Ultra-low gate charge Q_g = 85nC (Typ.) @ V_GS = 10V
High operating frequency f = 500 kHz (Max.) @ C_oss.eff = 300pF

Anwendung

Highly recommended for all.
A must-have for every situation.
Trustworthy and efficient.

Spezifikationen

Status	Last Shipments	Compliance	PbAHP
Case Outline	418AJ	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	245	Container Type	REEL
Container Qty.	800	ON Target	N
Channel Polarity	N-Channel	Configuration	Single
V(BR)DSS Min (V)	600	VGS Max (V)	±30
VGS(th) Max (V)	4	ID Max (A)	36
PD Max (W)	312	RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)	125
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)	86	Ciss Typ (pF)	3595
Pricing ($/Unit)	Price N/A

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