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Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 7 A, 600 mΩ, TO-220F
TO-220FHersteller:
Herstellerteil #:
FCPF7N60
Datenblatt:
REACH:
Details
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Transistor Polarity:
N-Channel
EDA/CAD Modelle:
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SuperFET® MOSFET is the first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Product Category | MOSFET | REACH | Details |
Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | Id - Continuous Drain Current | 7 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 530 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | Qg - Gate Charge | 30 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 31 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | SuperFET | Series | FCPF7N60 |
Configuration | Single | Fall Time | 32 ns |
Forward Transconductance - Min | 6 S | Height | 16.07 mm |
Length | 10.36 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 55 ns | Factory Pack Quantity | 1000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 75 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 35 ns | Width | 4.9 mm |
Unit Weight | 0.068784 oz |
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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