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Siehe Technische Spezifikationen

FDA28N50F +BOM

TO-3P Packaged N-type MOSFET, 500 Volts, 28 Amperes

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDA28N50F
Datenblatt:

FDA28N50F Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelle:

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Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

FDA28N50F Allgemeine Beschreibung

By offering superior body diode performance, the FDA28N50F eliminates the need for additional components in certain applications, leading to improved system reliability. This makes it an ideal choice for a variety of switching power converter applications, including power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX, and electronic lamp ballasts. With its advanced features and enhanced capabilities, the UniFET MOSFET family sets a new standard for power MOSFET technology

Hauptmerkmale

High reliability guaranteed
Safe and efficient operation
Compact and lightweight design
Rapid recovery time ensured
Easily integrated with other devices
Low power consumption typical

Anwendung

Perfect for all uses
Handy in all situations
Works in various applications

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V	Id - Continuous Drain Current	28 A
Rds On - Drain-Source Resistance	175 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V	Qg - Gate Charge	105 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	310 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	UniFET	Series	FDA28N50F
Configuration	Single	Fall Time	101 ns
Height	20.1 mm	Length	16.2 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	137 ns
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	192 ns
Typical Turn-On Delay Time	67 ns	Width	5 mm
Unit Weight	0.162260 oz

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