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Siehe Technische Spezifikationen

FDB8860 +BOM

N-Channel Logic Level PowerTrench^® MOSFET, 30V, 80A, 2.6mΩ

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDB8860
Datenblatt:

FDB8860 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

End Of Life
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDB8860

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

FDB8860 Allgemeine Beschreibung

N-Channel Logic Level PowerTrench^® MOSFET, 30V, 80A, 2.6mΩ

Hauptmerkmale

R_DS(ON) = 1.9mΩ (Typ), V_GS = 5V, I_D = 80A
Q_g(5) = 89nC (Typ), V_GS = 5V
Low Miller Charge
Low Q_RR Body Diode
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
RoHS Compliant

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Source Content uid	FDB8860	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	End Of Life	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	4 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	947 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	30 V
Drain Current-Max (ID)	31 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0027 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-263AB
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	245
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	306 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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