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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDC2612 +BOM

N-Channel PowerTrench MOSFET with a rating of 200V and 1.1A

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDC2612
Datenblatt:

FDC2612 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

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FDC2612 Allgemeine Beschreibung

The FDC2612 N-Channel MOSFET is a top choice for boosting the performance of DC/DC converters, whether they operate with synchronous or conventional switching PWM controllers. This MOSFET stands out for its superior design, focusing on reducing gate charge, minimizing R_DS(ON), and enhancing switching speed to maximize efficiency

Hauptmerkmale

Robust EMI filtering capabilities
Fully programmable firmware
Advanced thermal monitoring
Precise timing and synchronization
High-speed data transfer protocol
Low-power sleep mode functionality

Anwendung

Useful in various situations.
Essential for everyday tasks.
Highly recommended for all.

Spezifikationen

Source Content uid	FDC2612	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	43 Weeks
Application	SWITCHING	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-G6
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	6	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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