Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDC365P +BOM

The FDC365P is a P-Channel Power Trench® MOSFET that operates at -35V and can handle -4.3A of current with an on-resistance of 55mΩ

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDC365P
Datenblatt:

FDC365P Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDC365P

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

FDC365P Allgemeine Beschreibung

Our team has dedicated significant time and effort to perfecting the design of the FDC365P, resulting in a product that stands out for its outstanding performance benefits. The combination of low rDS(on) and optimized BVdss capability ensures that this MOSFET delivers superior results in a variety of applications. This level of precision and attention to detail is what sets our product apart from the competition

Hauptmerkmale

High speed switching frequency
Soft start for reduced inrush current
Rise time: 100ns maximum

Anwendung

Great for all tasks!
Highly versatile option.
Excellent for any project.

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	35 V
Id - Continuous Drain Current	4.3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	55 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	15 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC365P	Configuration	Single
Fall Time	3 ns	Height	1.1 mm
Length	2.9 mm	Product	MOSFET Small Signal
Product Type	MOSFET	Rise Time	3 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	15 ns
Typical Turn-On Delay Time	7 ns	Width	1.6 mm
Unit Weight	0.001270 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..