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FDC5614P +BOM

Low voltage drop and fast switching speeds make it ideal for power management

FDC5614P Allgemeine Beschreibung

Featuring a supersot package, the FDC5614P is easy to integrate into compact designs without sacrificing performance. The Rds(on) test voltage of -10V provides accurate measurements of the on-resistance under real-world conditions, ensuring consistent results in practical applications. Whether used in power management systems or motor control circuits, this MOSFET delivers excellent performance and reliability

Hauptmerkmale

  • High efficiency, low loss
  • Fast switching speed, high performance
  • Ultra-low RDS(ON), high current density
  • Compact design, high power density
  • Low capacitance, high reliability
  • Excellent thermal characteristics

Anwendung

  • Reliable and efficient
  • Suitable for diverse tasks
  • Works effectively in any setting

Spezifikationen

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 3 A Rds On - Drain-Source Resistance 105 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 24 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 1.6 W
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
Series FDC5614P Configuration Single
Fall Time 10 ns Forward Transconductance - Min 8 S
Height 1.1 mm Length 2.9 mm
Product MOSFET Small Signals Product Type MOSFET
Rise Time 10 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 P-Channel
Type MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 19 ns
Typical Turn-On Delay Time 7 ns Width 1.6 mm
Part # Aliases FDC5614P_NL Unit Weight 0.001270 oz

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