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Siehe Technische Spezifikationen

FDC608PZ +BOM

P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, -20V, -5.8A, 30mΩ

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDC608PZ
Datenblatt:

FDC608PZ Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDC608PZ

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

FDC608PZ Allgemeine Beschreibung

The FDC608PZ is a high-performance P-Channel MOSFET specifically designed for applications requiring low on-state resistance and efficient switching performance. Manufactured using ON Semiconductor's PowerTrench technology, this MOSFET offers a unique combination of low on-state resistance and low gate charge, making it an ideal choice for battery power applications

Hauptmerkmale

Low power consumption
Fast switching speed
Safe operating area: -20V, 5.8A

Anwendung

Great for a wide range of applications.
This product is suitable for diverse needs.
Can be utilized in numerous scenarios.

Spezifikationen

Source Content uid	FDC608PZ	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	56 Weeks
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	20 V
Drain Current-Max (ID)	5.8 A	Drain-source On Resistance-Max	0.043 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-G6
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	1.6 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	20 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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