Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDC6401N +BOM

Power MOSFET FDC6401N - Dual N-Channel

Hersteller:

ON SEMICONDUCTOR
Herstellerteil #:

FDC6401N
Datenblatt:

FDC6401N Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDC6401N

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

FDC6401N Allgemeine Beschreibung

When it comes to power management, the FDC6401N is a game-changer. Its advanced design ensures minimal power loss and superior performance in DC/DC converter applications. Whether you're using synchronous or conventional switching PWM controllers, this MOSFET is guaranteed to deliver exceptional results. Its low gate charge and fast switching speed make it a standout choice for efficiency-focused projects

Hauptmerkmale

High current handling
Low RDS(ON)
High speed switching
Excellent surge capability

Anwendung

Perfect for all your needs
Great for any project
Versatile and reliable

Spezifikationen

Source Content uid	FDC6401N	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	48 Weeks
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	3 A	Drain Current-Max (ID)	3 A
Drain-source On Resistance-Max	0.07 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PDSO-G6	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	2
Number of Terminals	6	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	0.7 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..