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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDC658AP +BOM

SOT-23-6 MOSFETs ROHS

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDC658AP
Datenblatt:

FDC658AP Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

FDC658AP Allgemeine Beschreibung

With the FDC658AP, you can rest assured that your battery power management needs are in good hands. This MOSFET showcases unparalleled expertise in design and functionality, thanks to its state-of-the-art PowerTrench® process. Whether you're looking to enhance power efficiency or maximize battery performance, the FDC658AP offers a reliable solution tailored to meet your specific requirements

Hauptmerkmale

High-Speed Switching
Low Power Consumption
Smart Gate Drive Control
Reliable Operation over 1 Million Cycles
Wide Temperature Range: -40°C to 150°C
EMI Robustness for Improved System Reliability

Anwendung

Perfect for all your needs.
Versatile and reliable choice.
Great for various projects.

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	4 A	Rds On - Drain-Source Resistance	44 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 25 V, + 25 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	8.1 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC658AP	Configuration	Single
Fall Time	12 ns	Forward Transconductance - Min	8.4 S
Height	1.1 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	12 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	16 ns	Typical Turn-On Delay Time	7 ns
Width	1.6 mm	Unit Weight	0.001270 oz

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