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Siehe Technische Spezifikationen

FDC86244 +BOM

FDC86244 is a PowerTrench MOSFET capable of handling 150V

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDC86244
Datenblatt:

FDC86244 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDC86244

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

FDC86244 Allgemeine Beschreibung

The product FDC86244 is a high-performance N-Channel MOSFET that is manufactured using a cutting-edge Power Trench^® process. This process has been specifically designed to enhance the product's r_DS(on), switching performance, and overall durability. With these optimizations, the FDC86244 is well-equipped to meet the demands of modern electronic applications, ensuring reliable and efficient operation

Hauptmerkmale

High efficiency and low EMI
Faster switching speed and high current handling
Low on-resistance and high surge capability
Excellent thermal resistance and reliability
Suitable for wide range of applications
Packaged in a compact surface mount design

Anwendung

Stocking
Demand Forecasting
Order Fulfillment

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	150 V
Id - Continuous Drain Current	2.3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	144 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	6 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC86244	Configuration	Single
Forward Transconductance - Min	6 S	Height	1.1 mm
Length	2.9 mm	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Width	1.6 mm
Unit Weight	0.001270 oz

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