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FDMC86160ET100 +BOM

N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 43A, 14mΩ

FDMC86160ET100 Allgemeine Beschreibung

This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance. This device is well suited for applications where ultra low RDS(on) is required in small spaces such as High performance VRM, POL and orring functions.

Hauptmerkmale

  • High-speed switching capability
  • Ultra-low rDS(on) for high efficiency
  • Improved thermal performance and reliability
  • Wide operating temperature range
  • Fast response time and low input capacitance
  • Robust and reliable with excellent ESD protection

Anwendung

  • Advanced Microcontrollers
  • Electronic Communication Devices
  • Power Management ICs

Spezifikationen

Source Content uid FDMC86160ET100 Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 55 Weeks
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE Avalanche Energy Rating (Eas) 181 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 100 V Drain Current-Max (ID) 9 A
Drain-source On Resistance-Max 0.014 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code MO-240BA JESD-30 Code S-PDSO-N5
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Pulsed Drain Current-Max (IDM) 204 A
Surface Mount YES Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form NO LEAD Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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