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Siehe Technische Spezifikationen

FDP3632 +BOM

MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDP3632
Datenblatt:

FDP3632 Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDP3632

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

Low Input Capacitance
High Current Handling
Reverse Recovery Time

Anwendung

DC/DC converters and Off-Line UPS

Distributed Power Architectures and VRMs

Primary Switch for 24V and 48V Systems

High Voltage Synchronous Rectifier

Direct Injection / Diesel Injection Systems

42V Automotive Load Control

Electronic Valve Train Systems

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	80 A
Rds On - Drain-Source Resistance	7.5 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V	Qg - Gate Charge	84 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	310 W	Channel Mode	Enhancement
Series	FDP3632	Configuration	Single
Fall Time	46 ns	Height	16.3 mm
Length	10.67 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	39 ns	Factory Pack Quantity	800
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	96 ns
Typical Turn-On Delay Time	30 ns	Width	4.7 mm
Part # Aliases	FDP3632_NL	Unit Weight	0.068784 oz

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