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Siehe Technische Spezifikationen

FDP80N06 +BOM

Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM, 60 V, 80 A, 10 mΩ, TO-220

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDP80N06
Datenblatt:

FDP80N06 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

End Of Life
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

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Tel: +852 95804164

FDP80N06 Allgemeine Beschreibung

UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Hauptmerkmale

R_DS(on) = 10mΩ ( Max.)@ V_GS = 10V, I_D = 40A
Low gate charge ( Typ. 57nC)
Low C_rss ( Typ. 145pF)
Fast Switching Speed
Improved dv/dt Capability
RoHS Compliant

Anwendung

AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
Workstation
Server & Mainframe
Desktop PC
AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC

Spezifikationen

Source Content uid	FDP80N06	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	End Of Life	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	16 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	480 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	60 V	Drain Current-Max (ID)	80 A
Drain-source On Resistance-Max	0.01 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	176 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	320 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

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