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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDS4435A +BOM

Compact P-Channel MOSFET Field-Effect Transistor, capable of handling 9A currents with a voltage rating of 30V

Hersteller:

Fairchild Semiconductor
Herstellerteil #:

FDS4435A
Datenblatt:

FDS4435A Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

End Of Life
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

4 Weeks
EDA/CAD Modelle:

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FDS4435A Allgemeine Beschreibung

P-Channel 30 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Hauptmerkmale

–9 A, –30 V. RDS(ON) = 0.017 Ω @ VGS = -10 V
RDS(ON) = 0.025 Ω @ VGS = -4.5 V
Low gate charge (21nC typical)
High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
High power and current handling capability

Spezifikationen

Source Content uid	FDS4435A	Part Life Cycle Code	End Of Life
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	4 Weeks	Date Of Intro	2017-11-07
Application	SWITCHING	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-G8
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	8	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Surface Mount	YES	Terminal Finish	NICKEL PALLADIUM GOLD
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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